改造翻新扩散炉氧化炉lpcvd

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最后更新: 2021-05-15 06:02
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详细说明

LPCVD改造翻新是根据客户的要求及现有机台的状况给出最优的解决方案,可实现常压扩散炉改为LPCVD,也可实现LPCVD中不同工艺的更换。

LPCVD技术指标
1.1工作温度:300~900℃
1.2适用硅片尺寸:4~6英寸
1.3装片数量:正片100~150片/管
1.4恒温区长度:1000mm

1.5恒温区稳定性:≤±0.5℃
1.6极限真空度:6mTorr
1.7淀积膜均匀性:片内≤±3%,片间≤±3%,批间≤±3%,

1.8气源系统:进口配件、自动轨道焊接

1.9控制系统:整机控制系统采用工业控制计算机(WINDOWS系统,中文操作界面,方便简洁)

可选配置:
1.1工艺管数量:1~4管

1.2进出舟模式:手动送片/自动送片(悬臂模式、软着陆模式)

1.3控压模式:MKS蝶阀控制模式和N2吹扫模式

1.4适用工艺:Poly、D-Poly、Si3N4、TEOS、PSG、SIPOS、LTO等


相关产品:改造翻新 , 氧化炉 , 扩散炉 , lpcvd

信息来源:http://www.fabuba.com/com/nnzzn/
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